שלב כיתת א.ב. לLDO?

[wept]

שלום לכולם, אני רוצה לעצב שלב יציאת א.ב. כיתת LDO. אתה יכול בבקשה לתת לי כמה רמזים או התייחסות? תודה

 

[erikl]

למה אתה רוצה לבזבז את הכח? בדרך כלל אתה רק צריך לספק זרם לעומס, בדרך כלל אין צורך ל[ U] כיור נוכחי [/u]. אבל יכול להיות שיש לך יישומים שונים?

 

[hoangtruyen]

LDO לא צריך שלב פלט. אם אתה רוצה לנהוג נוכחי גדול, אתה רק מגדיל את הממד של הכח MOS.

 

[leo_o2]

אני מניח שהוא רוצה להגדיל את תגובת עומס (במיוחד לדיכוי להחטיא את המטרה).

 

[wept]

אם LDO מספק דופק אות FRM 0mA ל300mA. העומס החולף יש ירידה ולאחר מכן להחטיא את מטרה. בלי שלב שכיבות למשוך, להחטיא יהיה די גבוהה. אבל אני תוהה הוא השיקול שלי להחטיא את המטרה חשובה באופן כללי לLDOs? וכמה אובדן הכח צפוי להוספת שלב א.ב. כיתה?

 

[hoangtruyen]

אם ברצונך לקבל די לטעון חולף, שאתה צריך כדי לשפר את AMP שגיאה ולוקים למנהלי התקנים עבור MOS כוח. אני לא חושב ששלב שכיבות למשוך פתרון טוב לזה.

 

[leo_o2]

כיתת AB היא אחת מהפתרון. פתרון נוסף הוא הוספת קומפרטור לאיתור להחטיא. של cos, דיכוי להחטיא את המטרה חשוב לעיצוב LDO. Quescient נוכחי יכול להיות מוגבר עם הכיתה AB. עם זאת, זה תלוי בעיצוב שלך. [ציטוט = בכה; 871141] אם LDO מספק אות דופק FRM 0mA ל300mA. העומס החולף יש ירידה ולאחר מכן להחטיא את מטרה. בלי שלב שכיבות למשוך, להחטיא יהיה די גבוהה. אבל אני תוהה הוא השיקול שלי להחטיא את המטרה חשובה באופן כללי לLDOs? וכמה אובדן הכח צפוי להוספת שלב א.ב. כיתה? [/ ציטוט]